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深圳创维半导体设计大厦景观设计

  • 深圳创维半导体设计大厦深圳创维半导体设计大厦
  • 作品名称:
    深圳创维半导体设计大厦景观设计
  • 设计单位:
    深圳市奥斯汀生态环境设计建设有限公司
  • 作品类型:
    商业楼宇
  • 工程地点:
    中国深圳
  • 总点击量:
    2752
  • 发布时间:
    2017/11/20 17:56:54
  • 施工面积:
    0M2
  • 用地面积:
    0M2
  • 设 计 师:
  • 作品说明:

    项目场地位于深圳南山科技园高新区,总占地面积为 17025.5 平方米,
    其中建筑占地面积为 5581.80 平方米。四周交通便利北临高新南三道,南
    靠高新南四道,东分别临科技南八路及科技南十路。四周均为各知名企业。
    the project site is located in high tech zone of shenzhen nanshan science and 
    technology park, covers an area of 17025.5 square meters, including building area of 
    5581.80 square meters. convenient transportation around the north high south south 
    road three, four south road, east were ten temporary road eight south road and south of 
    science and technology science and technology. all around for the well-known enterprises.